甬矽半导体申请芯片封装结构及其制备方法专利，提升底部填充胶的填充效率和均匀性_电池知识

甬矽半导体申请芯片封装结构及其制备方法专利，提升底部填充胶的填充效率和均匀性

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2026-08-21 09:34:43

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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“芯片封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN122622684A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请公开一种芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该芯片封装结构包括具有导电柱的衬底、设置于衬底上的第一介质层、嵌设于第一介质层中的布线层、设置于第一介质层上的第二介质层以及设置于第二介质层上的焊盘，导电柱通过布线层与焊盘电连接；焊盘包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第二金属层的宽度均小于第一金属层的宽度和第三金属层的宽度，以使第一金属层、第二金属层和第三金属层之间形成侧壁凹槽。该芯片封装结构能够利用毛细作用改善底部填充胶的流动路径，提升底部填充胶的填充效率和均匀性，减少空洞缺陷；同时还能够增大底部填充胶与焊盘的接触面积和机械互锁作用，提升焊盘与填充胶之间的结合力。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息289条，此外企业还拥有行政许可20个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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