思特威申请图像传感器及其制作方法专利，提高像素阵列附近图形密度_电池知识

思特威申请图像传感器及其制作方法专利，提高像素阵列附近图形密度

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2026-08-21 17:27:16

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国家知识产权局信息显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“图像传感器及其制作方法、电子设备”的专利，公开号CN122622373A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种图像传感器及其制作方法与电子设备，该图像传感器的像素阵列中，每一像素单元包括感光掺杂区，其中，图像传感器还包括与感光掺杂区同步形成的掺杂调节区，掺杂调节区设置于像素阵列的外围，像素阵列的边缘与像素阵列区域的边缘之间具有过渡区域，掺杂调节区设置于过渡区域中和/或保护环区域中。本发明通过增设掺杂调节区，提高了像素阵列附近的图形密度，使得在图像传感器的制作过程中，用于限定感光掺杂区的离子注入区域的光刻胶图形形貌能够更为均匀，从而减少因图形密度产生的离子注入工艺不稳定性，最终使得位于像素阵列中间区域的像素单元与位于像素阵列边缘区域的像素单元具有更为一致的光电转换性能。

天眼查资料显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40184.1572万人民币。通过天眼查大数据分析，思特威（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息156条，专利信息697条，此外企业还拥有行政许可29个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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