安徽亚格盛申请高纯钨配合物前驱体及其合成方法专利，可应用于半导体薄膜沉积领域
创始人
2026-08-29 09:09:32
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国家知识产权局信息显示，安徽亚格盛电子新材料股份有限公司申请一项名为“一种高纯钨配合物前驱体及其合成方法”的专利，公开号CN122647538A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及钨前驱体合成技术领域，具体涉及一种高纯钨配合物前驱体及其合成方法，通过四氯化钨乙二醇二甲醚加合物依次与二甲胺基锂、三甲基氯硅烷等原料进行反应，得到(Me3SiNMe2)3W(NSiMe3)前驱体。该前驱体具有高纯度、高挥发性和高热稳定性，可应用于半导体薄膜沉积领域。
天眼查资料显示，安徽亚格盛电子新材料股份有限公司，成立于2012年，位于芜湖市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10701.6817万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽亚格盛电子新材料股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可77个。
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来源：市场资讯
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