凌久微电子申请SRAM空间优化与NPU推理方法及系统专利，有效避免了大语言模型端侧推理中内存墙的问题
创始人
2026-09-13 05:10:22
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国家知识产权局信息显示，武汉凌久微电子有限公司申请一项名为“一种SRAM空间优化与NPU推理方法及系统”的专利，公开号CN122733755A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种SRAM空间优化与NPU推理方法及系统，将NPU内部的SRAM空间划分为第一缓冲区Buffer1和第二缓冲区Buffer2；在NPU执行大语言模型LLM推理的Decode阶段的多头注意力计算过程中，采用PING‑PONG策略，Buffer1和Buffer2交替执行注意力计算和KV Cache的读取。本发明提供了一套基于PING‑PONG机制的FlashAttention软件技术，引入了双缓冲区间，采取了DRAM数据搬运与注意力机制并行处理的方案，有效避免了大语言模型端侧推理中内存墙的问题。
天眼查资料显示，武汉凌久微电子有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16544.959958万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉凌久微电子有限公司参与招投标项目161次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息221条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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