华微电子申请快恢复二极管的制作方法相关专利，减少静电产生避免测试打火提高生产效率
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2025-07-11 12:39:11
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备”的专利，公开号CN120302652A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备，涉及半导体芯片技术领域。快恢复二极管的制作方法包括：提供一器件结构，器件结构包括衬底、位于衬底一侧的氧化层及位于氧化层远离衬底一侧的第一金属层；在第一金属层远离衬底的一侧形成保护层；对衬底远离第一金属层的一侧依次进行减薄处理和腐蚀处理；去除保护层；在衬底远离第一金属层的一侧进行金属蒸镀，形成第二金属层，如此，可以在减薄过程中减少快恢复二极管与减薄设备之间的摩擦，从而减少静电的产生，避免测试过程中出现打火现象，进而提高生产效率。
天眼查资料显示，吉林华微电子股份有限公司，成立于1999年，位于吉林市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本96029.5304万人民币。通过天眼查大数据分析，吉林华微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目45次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息267条，此外企业还拥有行政许可18个。
来源：金融界
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