力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利，提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法
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2025-06-20 20:38:18
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及形成半导体装置的方法”的专利，公开号CN120187085A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置包括基底、第一元件及第二元件。基底包括由元件隔离结构所界定的第一主动区及第二主动区。第一元件设置于第一主动区中且包括第一栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极电极以及设置在基底与第一栅极电极之间的第一栅极介电层。第二元件设置于第二主动区中且包括第二栅极结构。第二栅极结构包括第二栅极电极以及设置在基底与第二栅极电极之间的第二栅极介电层。第一栅极介电层包括与基底接触的第一部分以及在垂直方向上自第一部分突起的第二部分。第一部分在垂直方向上的厚度小于第二栅极介电层在垂直方向上的厚度。第一栅极介电层的第二部分的顶表面与第二栅极介电层的顶表面在相同的水平高度处。
来源：金融界
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