芯联集成获得发明专利授权：“沟槽型MOS器件的制造方法”
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2026-06-20 09:17:29
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽型MOS器件的制造方法”，专利申请号为CN202310203308.5，授权日为2026年6月19日。
专利摘要：本发明提供了一种沟槽型MOS器件的制造方法，通过对多晶硅材料层执行氧化工艺，以在所述多晶硅材料层的表面形成氧化硅层；去除所述氧化硅层，以打开所述空洞；以及，清洗所述多晶硅材料层，能够有效地去除所述多晶硅材料层表面的残留物，从而刻蚀所述多晶硅材料层时，能够形成形貌佳的沟槽型栅极，由此可以避免/降低沟槽型MOS器件容易发生电性测试异常的问题，提高了产品良率。
今年以来芯联集成新获得专利授权40个，较去年同期增加了42.86%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了18.38亿元，同比减0.2%。
通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目1752次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息837条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。
数据来源：天眼查APP
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