卓胜微获得实用新型专利授权:“半导体结构、射频半导体器件”
创始人
2026-07-04 08:17:47
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示卓胜微(300782)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“半导体结构、射频半导体器件”,专利申请号为CN202521359193.X,授权日为2026年6月19日。

专利摘要:本申请提供一种半导体结构、射频半导体器件,包括:基底;形成于所述基底上的异质结半导体层;覆盖所述异质结半导体层的至少两层堆叠钝化层,包括第一堆叠钝化层和第二堆叠钝化层,所述第二堆叠钝化层位于所述第一堆叠钝化层背离所述基底一侧;其中,所述第一堆叠钝化层和所述第二堆叠钝化层均由无机钝化层与有机钝化层交替堆叠形成,且所述第二堆叠钝化层的厚度大于所述第一堆叠钝化层的厚度。通过设置至少两层由无机钝化层与有机钝化层交替堆叠形成的堆叠钝化层覆盖异质结半导体层,且将更靠近外部环境的第二堆叠钝化层的厚度设置较厚,既降低了器件的寄生电容以改善高频性能,又能更为有效地阻挡外部环境中的水汽,提升器件可靠性。

今年以来卓胜微新获得专利授权18个,较去年同期增加了28.57%。结合公司2025年年报财务数据,2025年公司在研发方面投入了8.67亿元,同比减13.06%。

通过天眼查大数据分析,江苏卓胜微电子股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目77次;财产线索方面有商标信息48条,专利信息342条;此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源:天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,不构成投资建议。

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