普赛微科技申请等离子体氧化-还原处理改善二维MoS2与金属接触界面方法专利，提高二维MoS2与金属接触界面的电学性能
创始人
2026-09-01 18:29:41
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国家知识产权局信息显示，普赛微科技（杭州）有限公司申请一项名为“等离子体氧化-还原处理改善二维MoS2与金属接触界面的方法”的专利，公开号CN122679833A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种等离子体氧化‑还原处理改善二维MoS2与金属接触界面的方法，包括以下步骤：提供二维MoS2材料；对二维MoS2材料进行等离子体氧化处理，形成氧化层；对氧化层进行等离子体还原处理，去除氧化层并修复二维MoS2材料表面；在二维MoS2材料表面沉积金属电极，形成金属‑二维MoS2接触界面。本发明通过等离子体氧化‑还原处理，有效去除二维MoS2材料表面的污染物和缺陷，提高二维MoS2与金属接触界面的电学性能。
天眼查资料显示，普赛微科技（杭州）有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本281.25万人民币。通过天眼查大数据分析，普赛微科技（杭州）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息30条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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