晋华集成电路申请半导体结构专利，有利于进一步提高半导体器件的可靠性及良率
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2026-09-02 10:25:00
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国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN122679885A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底、沟槽隔离结构、栅极结构、第一凹陷和侧壁结构。衬底包括由沟槽定义的有源区。沟槽隔离结构位于衬底的沟槽内，包括依次设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。栅极结构完全位于沟槽隔离结构上。第一凹陷位于栅极结构的两侧。侧壁结构填充第一凹陷且覆盖栅极结构的两侧侧壁，侧壁结构的最底点低于栅极结构的最底点，其中，至少一侧的侧壁结构的底面同时接触第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。本申请提供的半导体结构有利于进一步提高半导体器件的可靠性及良率。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目559次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息1048条，此外企业还拥有行政许可87个。
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