亚太市场方面，三星电子、SK海力士下跌拖累韩国KOSPI指数跌超2.5%。

9月2日，A股主要股指低开低走，芯片板块震荡调整。

截至9:36，科创芯片设计ETF浦银(589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数（950162）跌1.3%；样本股，恒玄科技涨0.14%，杰华特跌3.3%、睿创微纳跌2.98%、南芯科技跌2.96%、翱捷科技-U跌2.71%、峰岹科技跌2.7%；该指数近1年涨27.19%。

据报道，三星电子公布了下一代存储器战略：公司计划将HBM5性能提升至HBM4E的2倍，后续迭代的zHBM目标性能达HBM4E的8倍，以匹配AI加速器需求。三星还在推进zNAND-O的开发。zNAND-O的目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍，计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。

瑞银证券表示，当前全球存储供需仍处于紧张状态，内存（DRAM）的紧俏预计将持续到 2028年二季度，闪存（NAND）在明年四季度之前也将维持相对紧缺。价格方面，存储价格今年上半年涨幅已相当可观，未来两个季度仍将延续上行，预计DRAM价格明年涨幅有望超过40%，NAND价格明年涨幅预计在30%以上。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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