华虹半导体申请改善超薄片背面离子注入跳片方法专利，有效防止了解除夹持瞬间的跳片现象_厂商动态

华虹半导体申请改善超薄片背面离子注入跳片方法专利，有效防止了解除夹持瞬间的跳片现象

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2026-09-13 11:05:46

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善超薄片背面离子注入跳片的方法”的专利，公开号CN122742643A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善超薄片背面离子注入跳片的方法。该方法包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆正面具有聚合物保护层，且所述待处理晶圆已完成减薄处理；对所述待处理晶圆进行预注入退火处理，以减少所述聚合物保护层内的挥发性物质；对所述待处理晶圆背面进行离子注入。本发明通过在离子注入前增加预注入退火处理，提前去除了聚合物保护层内的挥发性物质，避免了注入过程中因晶圆受热产生气体而积聚压力，有效防止了解除夹持瞬间的跳片现象，避免了晶圆裂纹和报废，显著提高了工艺稳定性和产品良率。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息281条，此外企业还拥有行政许可234个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2165条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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