珠海楠欣半导体申请无片外电容低压差稳压相关专利，提高无片外电容LDO的瞬态响应速度_电池技术

珠海楠欣半导体申请无片外电容低压差稳压相关专利，提高无片外电容LDO的瞬态响应速度

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2025-06-24 22:09:12

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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“一种无片外电容低压差稳压电路、芯片及电子设备”的专利，公开号CN120196166A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请提供一种无片外电容低压差稳压电路、芯片及电子设备，该电路包括：低压差稳压电路和瞬态响应增强电路，低压差稳压电路，用于产生第一偏置电压和第二偏置电压，并将第一偏置电压和第二偏置电压传输至瞬态响应增强电路；还用于将自身输出的基准电压传输至瞬态响应增强电路；瞬态响应增强电路，用于接收第一偏置电压、第二偏置电压以及基准电压，在基准电压发生变化时，将变化量耦合至低压差稳压电路，以使低压差稳压电路基于变化量对自身输出的基准电压进行调节。通过瞬态响应增强电路对基准电压进行检测，在其发生变化时，将变化量耦合至低压差稳压电路，以调节基准电压，可以提高无片外电容LDO的瞬态响应速度。

天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息161条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

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