矽力杰申请HEMT器件及其制备方法专利，降低器件的导通电阻以及减小器件寄生电容_电池技术

矽力杰申请HEMT器件及其制备方法专利，降低器件的导通电阻以及减小器件寄生电容

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2026-01-31 20:11:23

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国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN121442725A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层至少在栅极结构与漏极结构之间形成一个与漏极结构接触的电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，该电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的正电荷，从而达到增大电子调节层下方二维电子气浓度的效果，以使得大体上靠近漏极结构下方的沟道层与势垒层接触面处的二维电子气密度高于靠近栅极结构的沟道层与势垒层接触面处的二维电子气密度，以降低器件的导通电阻以及减小器件寄生电容。

天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息57条，专利信息851条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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