华润上华申请半导体器件及其制造方法专利，使得器件具有优异的击穿电压和导通电阻数值
国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121665601A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件极其制造方法，所述方法包括：获取形成有源极区、漏极区、栅极及场氧层的晶圆；形成覆盖源极区、漏极区及栅极的刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氮氧化硅复合层；氮氧化硅复合层从底部到顶部，氮元素对氧元素的比值呈上升趋势；光刻并刻蚀氮氧化硅复合层，形成氮氧化硅场板，刻蚀窗口位于源极区上方和栅极上方并远离漏极区上方，刻蚀采用随氮氧化硅中氮元素对氧元素的比值增大而刻蚀速率上升的刻蚀剂，氮氧化硅场板具有在从源极区指向漏极区的方向上逐渐抬升的形状。本发明的阶梯/斜坡场板仅需一步光刻及刻蚀就能形成，制备工序简单。形成的氮氧化硅场板具有良好的RESURF效果，使得器件具有优异的击穿电压和导通电阻数值。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目5594次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1498条，此外企业还拥有行政许可120个。
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来源：市场资讯
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