威比特纳诺申请用于低电压存储器位线和字线解码器的绝缘体上硅电路专利，减小了存储器阵列的外围电路的面积
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2026-03-28 13:42:07
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国家知识产权局信息显示，威比特纳诺有限公司申请一项名为“用于低电压存储器位线和字线解码器的绝缘体上硅电路”的专利，公开号CN121747635A，申请日期为2022年11月。
专利摘要显示，存储器，包括具有多个位线输入和多个字线输入的存储器阵列；位线解码器；并且提供了控制电路。该位线解码器包括第一电路和第二电路，该第二电路包括多个低电压场效应晶体管(FET)。控制电路以预脉冲阶段、脉冲阶段和后脉冲阶段的顺序向多个低电压FET提供控制信号，其中在脉冲阶段，第一电路和第二电路接收期望电压。控制电路以不大于在脉冲前阶段和脉冲后阶段的低电压的电压向多个低电压FET提供控制信号。在绝缘体上硅(SOI)技术中，在位线解码器和字线解码器中使用低电压FET减小了存储器阵列的外围电路的面积，而不需要改变存储器阵列本身。
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