湖北上市公司受到资本端热捧。

近日，继华工科技、长飞光纤、光迅科技、烽火通信之后，三安光电也重新站上了千亿市值。

三安光电注册地位于荆州，是LED芯片板块的绝对龙头，市占率全球领先，产品用于照明、显示、背光领域。2025年，三安光电LED外延芯片营收占比接近1/3，再加上LED应用产品，营收占比达1/2。

随着LED板块进入存量竞争阶段，三安光电向化合物半导体转型。

6月17日，公司披露，6英寸InP（磷化铟）光芯片已实现规模化量产，直接点燃市场情绪。

在AI算力投资热潮中，光模块是超级赛道，光芯片是800G/1.6T光模块的上游核心材料。三安光电从一个LED龙头，重新定位为国内化合物半导体龙头，估值逻辑被重构。

6月15日至26日，三安光电市值从764亿元跃升至1084亿元，突破千亿大关，净增320亿元。

InP是化合物半导体的细分材料之一。三安光电突破千亿市值的背后，是化合物半导体迈向产能大规模释放的关键节点。

继光通信、存储之后，湖北再次提前卡位，抓住下一个半导体趋势。

韩国也盯上了化合物半导体。

凭借三星、SK海力士“统治”存储芯片领域，韩国近期又启动了一个“超级创新经济项目”，攻关下一代功率半导体技术，要“挖掘第二、第三个半导体等未来增长动力”。

韩国将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。

下一代功率半导体，通常指以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的化合物半导体。相比传统硅基半导体，化合物半导体性能天花板更高。

假设你要给笔记本电脑充电，功率需要65W。传统硅基充电器体积约一个肥皂盒大小，又厚又重，充电时还会明显发烫，夏天摸起来烫手。GaN充电器体积却能做到原来的一半甚至三分之一，轻松放进口袋，重量也更轻，充电时温热，不烫手。

为什么GaN能做到"同样功率，体积砍半"？

如果把传统硅基半导体比作一条老旧的公路，GaN化合物半导体就像一条新建的高速铁路，路更宽更结实，耐高压、耐高温、扛得住大电流冲击。

现在市场上一些支持800V超快充的高端电动车，在电驱逆变器和充电桩里也采用了SiC功率器件。相比硅基IGBT，SiC功率器件电能转换效率更高。多出来的效率，可以转化为更长的续航里程和更短的充电时间。

这是物理层面的代际跨越。

只要有电的地方，就需要功率半导体。按材料来分，GaAs（砷化镓）化合物半导体国产化基本成熟，以三安光电为代表，而SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）仍处于成长期早期，2025年SiC/GaN渗透率仅5%—10%。

InP（磷化铟）虽然不属于功率半导体，但因AI带动光模块需求井喷，其在光电、射频领域的优势逐渐凸显。

这三者成为当下化合物半导体最热门的方向。

化合物半导体能带来下一个“存储周期”吗？

存储（DRAM + NAND + HBM）属于数字世界的基础设施，每产生1Byte数据就需要存储，理论上需求无上限。2025年存储器市场规模约为1800亿–2000亿美元，到2030年有望接近3000亿美元。

化合物半导体在高压、高频、高温场景替代传统硅基，需求有边界，目前市场规模在500亿—600亿美元左右，2030年有望接近1500亿美元。

最乐观的预计下，化合物半导体的市场规模约为存储的一半。

但这仍是一个千亿级的增量市场。每一个细分赛道，都是百亿级。

除了规模之大，它可以类比存储，还有以下三个共通点。

首先，它是一个高确定性的赛道。

以SiC为例，2023-2025年主流车企如比亚迪、特斯拉，密集推出800V架构。800V电压能实现“充电5分钟，续航200公里”的超快充，但电压翻倍后，传统硅基IGBT的物理短板被急剧放大，每次开关的损耗会成倍增加。

SiC是宽禁带材料，开关损耗几乎不会增加，对硅基IGBT形成碾压性优势。而且，SiC逆变器能带来5%-10%的续航里程提升。这意味着，在电池容量不变的情况下，用SiC可以实实在在多跑几十公里。

GaN面临的是同样机遇。

伴随AI算力需求指数级增长，单机柜功率可突破100kW，传统硅基电源无法满足散热要求，而GaN可以做到转换效率更高，体积更小，成为AI数据中心的必选项。

只要汽车电动化和AI数据中心的趋势还在，化合物半导体的替代需求就会在。

第二，它是一个高成长性的赛道。

以SiC和GaN为代表的化合物半导体，多处于成长期的早期，渗透率不高。

2025年全球电动车SiC渗透率约25%，单车SiC价值量300-500美元；预计2030年渗透率超60%，对应市场规模超150亿美元。

2025年AI服务器GaN渗透率约15%—20%，预计2030年渗透率超50%。

第三，它是一个符合国产替代叙事的赛道。

存储芯片DRAM三巨头和NAND五强，垄断了绝大部分市场份额，国内的长鑫存储和长江存储正在步步追赶。

SiC和GaN化合物半导体市场也长期由国外垄断。

SiC衬底过去由美国Wolfspeed垄断，天岳先进改变了这一格局，成为全球首发12英寸SiC衬底的厂商。

但在SiC器件和GaN环节，欧美日IDM仍占据80%以上份额，中国企业份额较小。InP光芯片之外，三安光电也押注了SiC业务，也是国内少数拥有SiC全链垂直整合能力的平台。

千亿级的增量，湖北早已布局。

在武汉光谷，一个以九峰山实验室为圆心的化合物半导体千亿街区，正从蓝图落地为现实。

▼九峰山实验室。图/长江日报

九峰山实验室是湖北十大实验室之一，定位为化合物半导体领域的研发和中试平台，直接瞄准以SiC (碳化硅)、GaN (氮化镓)、InP (磷化铟)、Ga₂O₃ (氧化镓) 等为代表的下一代半导体。

三年来，九峰山实验室突破了多项关键技术。

据九峰山实验室，实验室配备7条成熟的化合物半导体中试工艺线，以及行业领先的检测平台。

化合物半导体的发展瓶颈在于工艺。从实验室的一个好想法到能大规模量产的良率，中间横亘着一条需要巨额投入的“死亡之谷”——中试阶段。

九峰山实验室的中试工艺线服务全国24个省市，深度链接各大半导体产业带。以九峰山实验室为起点，70余家化合物半导体企业迅速落地光谷。

去年，九峰山实验室化合物半导体中试平台获评首批国家级制造业中试平台，也是名单中唯一的集成电路类平台。

▼九峰山实验室科研人员在进行研发工作。图/九峰山实验室供图

5月底，九峰山半导体生产制造基地项目工程总承包（EPC）正式启动招标。项目总投资52亿元，EPC招标投资额45.3亿元，规划用地214亩，总建筑面积39万平方米，计划工期730天。

项目计划用于半导体外延片/衬底片的研发与生产，将建设5栋生产厂房、1栋动力站、1栋变电站、4栋仓库、大宗气站及配套研发办公楼和倒班宿舍。

这也意味着，光谷即将迈向化合物半导体量产制造这一关键环节。

迄今，武汉光谷化合物半导体产业规模突破400亿元。新一个千亿级产业，已现雏形。

九派新闻记者 柴归

编辑 肖畅

【来源：九派新闻】

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