国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“应用于存储器件制作中的工艺方法”的专利，公开号CN122373348A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，公开了一种工艺方法，包括：在衬底上形成第三多晶硅层，衬底上形成有耦合氧化物层，衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域，第一区域的耦合氧化物层上形成有字线多晶硅，字线多晶硅之间形成有第一多晶硅层和位于其上方的第二多晶硅层，字线多晶硅高于第二多晶硅层的区域被第一隔离层覆盖，第一隔离层之间形成有牺牲薄膜层，第一隔离层和牺牲薄膜层上形成有第二隔离层；进行刻蚀，去除第一区域的第三多晶硅层和第二隔离层，以及第二区域中目标区域的第三多晶硅层和耦合氧化物层；对第一区域进行干法刻蚀，去除牺牲薄膜层；在第二隔离层的周侧和逻辑器件的栅极的周侧形成保护层；对第一区域进行刻蚀，直至目标区域的衬底暴露。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2073条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7858条，此外企业还拥有行政许可461个。

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来源：市场资讯