长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，改善第一电极结构与其他导电结构之间通过介电层漏电的问题_电池技术

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，改善第一电极结构与其他导电结构之间通过介电层漏电的问题

创始人

2026-07-11 23:23:40

0次

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN122373331A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善第一电极结构与其他导电结构之间通过介电层漏电的问题。该半导体结构包括：支撑结构和电容结构。支撑结构包括第一和支撑柱，第一支撑层具有第一表面和第二表面，第一表面相较于第二表面更靠近支撑柱，第一表面具有凸起，支撑柱沿第一方向延伸，且支撑柱与凸起连接。电容结构包括第一电极结构、介电层和第二电极结构；电容结构围绕支撑柱设置，且第一电极结构还位于凸起沿第一方向的一侧。通过上述设置，增加第一电极结构与其他导电结构之间的电子流动路径，使电子难以流出，有利于改善第一电极结构通过介电层与其他导电结构之间产生漏电的情况。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1453次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6140条，此外企业还拥有行政许可1009个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业导电电极长江投资支撑柱存储导体结构专利半导体介电层

上一篇：华虹半导体申请应用于存储器件制作中的工艺方法专利，对第一区域进行刻蚀直至目标区域的衬底暴露

下一篇：格力电器获得发明专利授权：“嵌入式电源管理系统及电器”

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，改善第一电极结构与其他导电结构之间通过介电层漏电的问题

相关内容

热门资讯