硅存储技术申请四栅分裂栅极闪存存储器单元的加速编程专利，使用来自擦除操作的正电荷对控制栅极线对进行预充电
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2026-09-12 19:21:33
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国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司申请一项名为“四栅分裂栅极闪存存储器单元的加速编程”的专利，公开号CN122743550A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，一种对存储器设备进行编程的方法，该存储器设备包括连接到存储器单元的行和列的控制栅极线、擦除栅极线、选择栅极线、源极线和位线，该方法包括：执行擦除操作，该擦除操作包括将第一电压施加到擦除栅极线中的一个擦除栅极线；执行预编程操作，该预编程操作包括将擦除栅极线中的一个擦除栅极线电连接到控制栅极线对，以使用来自擦除操作的在擦除栅极线中的一个擦除栅极线上的正电荷来对控制栅极线对进行预充电；以及执行编程操作，该编程操作包括将第二电压施加到擦除栅极线中的一个擦除栅极线和控制栅极线对。
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