海姆希科半导体取得降低内部应力功率模块专利，具有更大抗弯能力
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2025-07-17 16:10:12
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金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海海姆希科半导体有限公司取得一项名为“一种具有降低内部应力的功率模块”的专利，授权公告号CN223108877U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本实用新型属于半导体功率模块，提供一种具有降低内部应力的功率模块，主要包括散热底板；多个间隔设置的覆铜陶瓷基板，其设置于所述散热底板上；芯片，设置于覆铜陶瓷基板的上铜层上；塑壳，设有预设厚度，其与散热底板连接，塑壳沿散热底板边缘设置，塑壳与散热底板形成灌封腔，其中，在塑壳的内部设有至少一个与塑壳连接的第一隔板，第一隔板沿相邻两个覆铜陶瓷基板之间的预设间隙设置，以使灌封腔分隔成至少两个相互独立的灌封区域，从而使每个区域内的灌封层相互独立，相比较于传统的整块灌封层具有更大的抗弯能力，避免其受热应力或外部机械力造成灌封层裂开，从而保护塑壳内部电气连接的完整性。
天眼查资料显示，上海海姆希科半导体有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海海姆希科半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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