电池技术
深南电路获得发明专利授权：“叠孔结构的制作方法和电路板”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示深南电路（002916）新获得一项发明专利授权，专利名为“叠孔结构的制作方法和电路板”，专利申请号为CN202510575...
每周股票复盘：路维光电（688401）募资规模调整至不超10.02亿元
截至2026年6月18日收盘，路维光电（688401）报收于81.12元，较上周的75.98元上涨6.76%。本周，路维光电6月17日盘中最高价报85.98元。...
每周股票复盘：旭光电子（600353）股价异动，市盈率211.28
截至2026年6月18日收盘，旭光电子（600353）报收于42.01元，较上周的28.69元上涨46.43%。本周，旭光电子6月18日盘中最高价报42.01元...
浙教版七年级科学上册电子课本(2026年新教材)
2026年秋季开学后，初中全新教材将全面落地启用，新版课本侧重引导孩子主动思考、动手实践。为方便同学们利用暑假提前预习七年级上册内容，我们整理了新教材2026浙...
联明电源取得激光器泵浦源智能老化系统专利
国家知识产权局信息显示，深圳市联明电源有限公司取得一项名为“激光器泵浦源智能老化系统与方法、可读存储介质”的专利，授权公告号CN116488450B，申请日期为...
港震科技取得集中管控智能电源充放电控制系统专利
国家知识产权局信息显示，北京港震科技股份有限公司取得一项名为“一种集中管控智能电源的充放电控制系统”的专利，授权公告号CN121840742B，申请日期为202...
经纬恒润取得电机电流采集方法及装置专利
国家知识产权局信息显示，北京经纬恒润科技股份有限公司取得一项名为“电机电流采集方法及装置”的专利，授权公告号CN116879743B，申请日期为2023年7月。...
大青山实验室申请考虑频率电压耦合的储能低电压穿越门槛值优化方法专利，有效提升储能机组在故障期间的有功支撑能力与系统稳定性
国家知识产权局信息显示，内蒙古大青山实验室有限公司;浙江大学申请一项名为“一种考虑频率电压耦合的储能低电压穿越门槛值优化方法”的专利，公开号CN12224675...
沃孚半导体取得半导体晶片专利
国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司取得一项名为“半导体晶片”的专利，授权公告号CN115000030B，申请日期为2018年11月。 声明：市场有风险，投资...
湖南国芯半导体取得氮化镓器件及其制备方法专利
国家知识产权局信息显示，湖南国芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种氮化镓器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN121398063B，申请日期为2025年11...
国芯科技：公司汽车电子芯片产品主要包括MCU芯片、DSP芯片和高端数模混合芯片系列
证券之星消息，国芯科技(688262)06月17日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：请问，比亚迪近日发布的璇玑A3芯片对公司相关产品的市场拓...
旭光电子取得电子管封离工装专利，提高操作便捷性和安全性
国家知识产权局信息显示，成都旭光电子股份有限公司取得一项名为“一种电子管封离工装”的专利，授权公告号CN224384241U，申请日期为2025年6月。 专利摘...
苏州安光微电子申请无污染抛光液及其制备方法专利，能降低抛光表面粗糙度
国家知识产权局信息显示，苏州安光微电子科技有限公司申请一项名为“一种无污染抛光液及其制备方法”的专利，公开号CN122234712A，申请日期为2024年12月...
长江存储申请存储器控制器及其操作方法、存储器系统专利，采用单面编程的方式对多个存储面中每个面的字线耦接存储单元依次编程
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器控制器及其操作方法、存储器系统”的专利，公开号CN122245378A，申请日期为2022年...
零束科技取得多域电源保护系统及车辆专利，可以实现多域控输入电源的保护和隔离
国家知识产权局信息显示，零束科技有限公司取得一项名为“多域电源保护系统及车辆”的专利，授权公告号CN224385063U，申请日期为2025年3月。 专利摘要显...
安晟通取得双路高压电源独立控制模块专利，有效防止双路高压电源之间的串扰
国家知识产权局信息显示，安晟通（天津）高压电源科技有限公司取得一项名为“一种双路高压电源独立控制模块”的专利，授权公告号CN224385143U，申请日期为20...
西安聚能超导线材取得Nb3Sn石墨烯复合超导吸波材料制备方法专利
国家知识产权局信息显示，西安聚能超导线材科技有限公司取得一项名为“一种Nb3Sn石墨烯复合超导吸波材料的制备方法”的专利，授权公告号CN121439380B，申...
海东红狮半导体申请电子级氯化氢制备系统及方法专利，能够从源头上杜绝碳污染
国家知识产权局信息显示，海东红狮半导体有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业多晶硅有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海亚洲硅业硅材料有限公司...
力晶积成申请半导体装置及其制造方法专利，提升半导体装置性能与可靠性
国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122248771A，申请日期为2025年2月。 专...
金三洋塑业取得芯片保护膜切割定位方法专利
国家知识产权局信息显示，沧州市金三洋塑业有限公司取得一项名为“一种基于机器视觉的芯片保护膜切割定位方法及系统”的专利，授权公告号CN121482156B，申请日...