苏州聚谦半导体取得自对准双槽屏蔽栅MOSFET结构及其制造方法专利
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2025-07-27 00:09:28
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金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，苏州聚谦半导体有限公司取得一项名为“自对准双槽屏蔽栅MOSFET结构及其制造方法”的专利，授权公告号CN115472681B，申请日期为2022年10月。

天眼查资料显示，苏州聚谦半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州聚谦半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

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