长鑫科技申请半导体结构及其制备方法相关专利，可有效提高键合效果
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2025-06-22 00:37:13
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、键合结构的制备方法”的专利，公开号CN120184136A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、键合结构的制备方法。其中，半导体结构包括：基底，包括布线层；第一介质层，位于基底设有布线层的一侧，且覆盖布线层；互连孔结构，贯穿第一介质层而延伸至布线层，具有关键尺寸不同的至少两个导电互连部；第二介质层，覆盖互连孔结构以及第一介质层；键合垫，位于第二介质层内，与互连孔结构一一对应设置，且键合垫覆盖对应的互连孔结构，键合垫的远离互连孔结构的表面凹陷；其中，在同一互连孔结构的至少两个导电互连部中，与其相对的键合垫表面凹陷深度越大，导电互连部的关键尺寸越大。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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