拓荆科技申请一种双阀体结构的半导体薄膜沉积设备专利，提高生产效率
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2025-06-22 00:37:14
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为“一种双阀体结构的半导体薄膜沉积设备”的专利，公开号CN120184057A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双阀体结构的半导体薄膜沉积设备，其包括：多边形的传输模块、工艺模块以及阀体模块；所述传输模块的每个边上均设有一个传输口，每个所述传输口处均设有所述阀体模块，每个所述阀体模块外还连接有一个所述工艺模块；其中，所述阀体模块为双阀体结构，所述双阀体结构分别用于控制与其连接的所述传输口及所述工艺模块的气路。本发明的双阀体结构的半导体薄膜沉积设备，其采用双阀体结构控制传输模块和模块模块之间的气路，当需要增减与传输对接的模块模块时，可选择性断开一侧阀体，从而实现不停机处理，同时适时关闭阀体可保持模块模块内的高温环境环境，减少气体回填及清洗处理处理，提高了生产效率。
天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本143253.79万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可29个。
来源：金融界
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