云海国创申请一种半导体器件及其制作方法、电路结构专利，可缓解电流坍塌
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2025-07-29 16:41:37
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法、电路结构”的专利，公开号CN120390419A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制作方法、电路结构，包括：在第一衬底的上表面生长外延层；在外延层背离第一衬底的表面形成图形化的第一栅介质层；在第一栅介质层背离外延层的表面生长金属，形成第一栅极和第二栅极；在外延层背离第一衬底的表面形成源极和漏极；第一栅极位于源极和第二栅极之间，第一栅极与源极电学连接；去除第一衬底，并刻蚀外延层，形成第三栅极凹槽；第三栅极凹槽与第二栅极相对；在外延层的表面生长第二栅介质层；在具有第二栅介质层的第三栅极凹槽中生长金属，形成第三栅极，得到半导体器件；第三栅极与第二栅极短接。
天眼查资料显示，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于济南市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本135000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目132次，财产线索方面有商标信息45条，专利信息2707条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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