云海国创申请一种半导体器件及其制作方法、电路结构专利，可缓解电流坍塌_电池资讯

云海国创申请一种半导体器件及其制作方法、电路结构专利，可缓解电流坍塌

创始人

2025-07-29 16:41:37

0次

金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法、电路结构”的专利，公开号CN120390419A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制作方法、电路结构，包括：在第一衬底的上表面生长外延层；在外延层背离第一衬底的表面形成图形化的第一栅介质层；在第一栅介质层背离外延层的表面生长金属，形成第一栅极和第二栅极；在外延层背离第一衬底的表面形成源极和漏极；第一栅极位于源极和第二栅极之间，第一栅极与源极电学连接；去除第一衬底，并刻蚀外延层，形成第三栅极凹槽；第三栅极凹槽与第二栅极相对；在外延层的表面生长第二栅介质层；在具有第二栅介质层的第三栅极凹槽中生长金属，形成第三栅极，得到半导体器件；第三栅极与第二栅极短接。

天眼查资料显示，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于济南市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本135000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目132次，财产线索方面有商标信息45条，专利信息2707条，此外企业还拥有行政许可11个。

来源：金融界

企业显示栅极电流国创电路外延表面结构专利半导体衬底介质层云海

上一篇：亿纬动力取得电池最大电流测试相关专利

下一篇：禾望电气涨停报32.53元数据中心电源概念受AI需求提振

云海国创申请一种半导体器件及其制作方法、电路结构专利，可缓解电流坍塌

相关内容

热门资讯