华虹半导体（无锡）申请MOS器件的栅极漏电流模型专利，可提高栅极漏电流在耗尽区的拟合精度
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2025-11-24 12:37:03
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种MOS器件的栅极漏电流模型”的专利，公开号CN 120994926 A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种MOS器件的栅极漏电流模型，所述栅极漏电流模型的表达式为：；其中，所述是以栅极‑衬底电压Vgb为自变量的函数式，用于描述栅极漏电流Igate随栅极‑衬底电压Vgb的变化趋势；所述是以栅极‑衬底电压Vgb和器件的栅氧化层厚度tox为自变量的函数式，用于描述所述栅极漏电流Igate在积累区和耗尽区的差异性现象；所述是以当前温度T为自变量的温度补偿函数。本申请通过上述方案，可以提高栅极漏电流在耗尽区的拟合精度。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2939次，专利信息1886条，此外企业还拥有行政许可117个。
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来源：市场资讯
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