美光科技申请三维存储器阵列中的衬底隔离专利，提供用于三维存储器阵列中的衬底隔离的系统、方法及设备
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2025-11-27 11:15:53
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“三维(3D)存储器阵列中的衬底隔离”的专利，公开号CN 121013334 A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，提供用于三维3D存储器阵列中的衬底隔离的系统、方法及设备。形成在衬底上的竖直堆叠存储器单元的3D阵列，所述竖直堆叠存储器单元具有水平定向存取装置及存储节点，可包含：数字线衬层的第一部分，其形成在所述衬底上；所述数字线衬层的第二部分，其形成在所述衬底上；及介电材料，其具有形成在所述数字线衬层的所述第一部分与所述数字线衬层的所述第二部分及所述衬底之间的一部分。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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