磐盟半导体申请半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法专利，具有优异的抗高温析晶性能
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2025-12-05 13:36:50
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国家知识产权局信息显示，江西磐盟半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法”的专利，公开号CN121065810A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种半导体级硅单晶生长用石英坩埚及其制备方法。该石英坩埚包括：由内向外依次设置的超惰性钝化涂层、内层和外层；所述超惰性钝化涂层形成于所述内层的最内表面；所述超惰性钝化涂层为非晶玻璃态；所述外层由天然石英砂熔制而成。该制备方法采用多段气氛调控电弧熔制与真空退火工艺制备基体，并经低温等离子体烧结在前述基体内壁形成致密的所述涂层。本发明通过上述结构与制备方法的结合，所制得的用于半导体级硅单晶生长的石英坩埚具有优异的抗高温析晶性能，能有效降低并稳定硅熔体中的氧浓度，且结构耐久性强，显著延长了使用寿命。
天眼查资料显示，江西磐盟半导体科技有限公司，成立于2021年，位于景德镇市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2348.146万人民币。通过天眼查大数据分析，江西磐盟半导体科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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