物元半导体申请硅基电感结构及其制备方法专利,在相同面积下可实现更高的电感量
创始人
2026-06-20 12:45:47
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国家知识产权局信息显示,物元半导体技术(青岛)有限公司申请一项名为“一种硅基电感结构及其制备方法”的专利,公开号CN122248744A,申请日期为2026年4月。

专利摘要显示,本发明的的硅基电感结构的制备方法包括硅衬底、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及多个导电柱。第一金属层设置于硅衬底上,包括多个沿第一方向间隔排列的第一金属段。第一绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于第一绝缘层上方,包括多个沿第一方向间隔排列的第二金属段。多个导电柱竖直贯穿于第一绝缘层中,第一金属段、第二金属段与导电柱依次交替连接,形成连续的三维螺旋结构。突破了传统平面螺旋电感对芯片面积的占用限制,在相同面积下可实现更高的电感量,显著提高单位面积的集成密度。

天眼查资料显示,物元半导体技术(青岛)有限公司,成立于2022年,位于青岛市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本68896.015万人民币。通过天眼查大数据分析,物元半导体技术(青岛)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1次,专利信息160条,此外企业还拥有行政许可12个。

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来源:市场资讯

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