成都宏科电子申请宇航用中高压多层瓷介电容器及其制备方法专利，改善真空沿面闪络危害_电池资讯

成都宏科电子申请宇航用中高压多层瓷介电容器及其制备方法专利，改善真空沿面闪络危害

创始人

2025-12-08 13:07:03

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国家知识产权局信息显示，成都宏科电子科技有限公司申请一项名为“一种宇航用中高压多层瓷介电容器及其制备方法”的专利，公开号CN121075816A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种宇航用中高压多层瓷介电容器及其制备方法，涉及电容器的结构和制备方法的技术领域，包括分别采用第一丝网在第一介质膜片上印刷第一图形，采用第二丝网在第二介质膜片上印刷第二图形；将多个印刷有第一图形的所述第一介质膜片错位堆叠，并在其顶部和底部分别堆叠有一个印刷有第二图形的第二介质膜片形成陶瓷巴块；将所述陶瓷巴块先经过温等静压使层间贴合，再进行切割得到MLCC电容器生坯；将所述MLCC电容器生坯制备成具有屏蔽保护电极的MLCC电容器。本发明通过采用两种丝网印刷，得到具有屏蔽保护电极的MLCC电容器，以达到在保证多层瓷介电容器原性能的同时改善真空沿面闪络危害，适应宇航领域的目的。

天眼查资料显示，成都宏科电子科技有限公司，成立于1999年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9670万人民币。通过天眼查大数据分析，成都宏科电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目925次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息247条，此外企业还拥有行政许可92个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法高压投资电子真空电容器宇航瓷介专利介质膜片

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