长光圆辰申请降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法专利，显著降低TMBS器件开关噪声_电池资讯

长光圆辰申请降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法专利，显著降低TMBS器件开关噪声

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2025-12-26 18:36:47

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国家知识产权局信息显示，长春长光圆辰微电子技术有限公司申请一项名为“一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法”的专利，公开号CN121218614A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，本申请提供一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，并在半导体衬底上形成一外延层；在所述外延层上形成沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部；在所述沟槽的侧壁和底部形成梯度掺杂P型柱；在形成有所述梯度掺杂P型柱的沟槽内形成介质层；以及用导电材料填充所述沟槽。本申请通过动态优化沟槽的离子注入工艺，达到了精确制造梯度掺杂P型柱，从而显著降低TMBS器件开关噪声的效果。

天眼查资料显示，长春长光圆辰微电子技术有限公司，成立于2016年，位于长春市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41000万人民币。通过天眼查大数据分析，长春长光圆辰微电子技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息26条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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