南亚科技申请具有垂直晶体管的半导体元件及其制备方法专利，提供一种半导体元件以及一种半导体元件的制备方法
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2025-07-02 12:09:52
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有垂直晶体管的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN120239267A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件以及一种半导体元件的制备方法。该半导体元件可以包括一第一垂直晶体管。该第一垂直晶体管可以包括一第一通道区。该第一垂直晶体管还可以包括环绕该第一通道区的一第一字元线。第一垂直晶体管也可以包括在该第一通道区和该第一字元线之间的一第一位元线介电层。该第一垂直晶体管还可以包括在该第一位元线介电层和该第一字元线之间的一第一导电衬垫。
来源：金融界
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