杰平方半导体申请复合型ESD器件专利，实现低钳位电压性能_电池资讯

杰平方半导体申请复合型ESD器件专利，实现低钳位电压性能

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2026-01-28 17:42:20

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国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种复合型ESD器件”的专利，公开号CN121398126A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种复合型ESD器件，属于半导体技术领域，该复合型ESD器件，包括P型衬底；N型阱区，设置在P型衬底的内部，N型阱区中还横向布置有第一N型区和第一P型区，且第一N型区和第一P型区之间具有间隔；P型阱区，设置在N型阱区的一侧，P型阱区中还横向布置有第二N型区和第二P型区，且第二N型区和第二P型区之间具有间隔；侧壁N型区，位于P型阱区和N型阱区之间，其两侧缘分别与P型阱区和N型阱区的侧缘相切；金属区，至少部分地包裹于侧壁N型区中。通过挖槽工艺和侧壁注入工艺，在不增加器件面积的基础上，通过对传统SCR器件结构的改进，增加了侧壁N型区与金属区，实现了单个器件上的低钳位电压性能以及复合型多用途。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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