扬贺扬微电子申请垂直纳米线存储器装置专利，提升器件性能
创始人
2026-02-04 21:41:46
0次
国家知识产权局信息显示，江苏扬贺扬微电子科技有限公司申请一项名为“一种垂直纳米线存储器装置”的专利，公开号CN121463484A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种垂直纳米线存储器装置，涉及半导体技术领域。装置的核心特征在于其具有由GaN、AlN和AlGaN材料构成的垂直纳米线沟道结构，该结构具体表现为由AlN和GaN异质结形成第一沟道，由AlN和AlGaN异质结形成第二沟道。这两个沟道在纳米线径向上由内至外依次分布，分别利用第一沟道的高极化电荷密度和第二沟道的宽禁带高耐压特性，提升器件性能。源极和漏极在垂直方向上相对设置，由金属层与氧化物层堆叠形成。栅极结构采用全环绕栅极，从内至外依次包括与纳米线沟道接触的铁电AlScN层以及栅极导电层，其中栅极导电层由栅极和氮化物交替沉积形成。提供了增强的极化控制与低泄漏电流。
天眼查资料显示，江苏扬贺扬微电子科技有限公司，成立于2016年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5708.1667万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏扬贺扬微电子科技有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息13条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可18个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
研祥申请电源组件及工控整机专利...
国家知识产权局信息显示，研祥智慧物联科技有限公司申请一项名为“电源组件及工控整机”的专利，公开号CN...
江苏富乐德取得半导体环粘蜡工艺...
国家知识产权局信息显示，江苏富乐德石英科技有限公司取得一项名为“一种半导体环粘蜡工艺及其装置”的专利...
首款消费级Arm架构PC芯片6...
北京时间5月30日凌晨，微软、英伟达、Arm三方联动发布“PC的新时代”预告，并附上中国台北国际电脑...
别再频繁开关了 专家：重启空调...
眼下已进入夏季，多地气温接连突破35℃，6月1日至2日，我国南北多地高温天气还将逐渐增多。大热天里，...
广东中兴电器开关申请静触头快速...
国家知识产权局信息显示，广东中兴电器开关股份有限公司申请一项名为“一种静触头快速调节的双层开关移开式...
英科迪微电子申请波特率信号检测...
国家知识产权局信息显示，合肥英科迪微电子科技有限公司申请一项名为“波特率信号检测电路和CDR环路结构...
2026年中国集成电路市场规模...
中商情报网讯：中国集成电路产业快速发展，市场规模持续扩大。中商产业研究院发布的《2026-2031年...