北京芯力技术创新中心申请高密度多层芯片晶圆堆叠方法专利，真正实现单位体积晶体管密度提升_电池资讯

北京芯力技术创新中心申请高密度多层芯片晶圆堆叠方法专利，真正实现单位体积晶体管密度提升

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2026-02-07 18:13:41

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国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“高密度多层芯片晶圆堆叠方法及半导体器件”的专利，公开号CN121487635A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种高密度多层芯片晶圆堆叠方法和半导体器件，方法包括：芯片等离子体活化和清洗：对晶圆进行电性测试并切割，筛选出电性合格的芯片，对合格芯片进行等离子体活化与清洗，并旋涂去离子水；芯片到晶圆混合键和：取出芯片（B），与晶圆（A）执行芯片到晶圆混合键和工艺；晶圆（A）入厂检测：在晶圆（A）入厂后进行颗粒污染检测，检测膜厚、表面形貌；互连结构制作：在晶圆（A）表面采用铜大马士革工艺制作包括混合键和的导电孔/焊盘结构在内的电路互连结构；键合后退火。利用本发明，能够在保证最终良品率的前提下真正实现单位体积晶体管密度提升。

天眼查资料显示，北京芯力技术创新中心有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本65051.5464万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯力技术创新中心有限公司参与招投标项目465次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可59个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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