无锡中科微电子研究院申请无内部电容LDO频率补偿电路专利，实现LDO在大负载电流下的稳定_电池资讯

无锡中科微电子研究院申请无内部电容LDO频率补偿电路专利，实现LDO在大负载电流下的稳定

创始人

2026-02-17 14:11:58

0次

国家知识产权局信息显示，无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司申请一项名为“一种无内部电容的LDO极点-极点跟踪的频率补偿电路”的专利，公开号CN121523494A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及模拟集成电路设计技术领域，具体公开了一种无内部电容的LDO极点-极点跟踪的频率补偿电路，包括偏置电路、误差放大器、反馈电路、缓冲器、功率级电路和负载级电路，偏置电路分别连接误差放大器和缓冲器，误差放大器的第一级输出端连接所述功率级电路，误差放大器的第二级输出端分别与反馈电路的反馈端和缓冲器的输入端连接，反馈电路的采样端和缓冲器的输出端均连接功率级电路的输入端，功率级电路的输出端连接负载级电路。本发明使得次主极点在负载电流的变化范围内跟随主极点沿同一方向移动，形成极点-极点跟踪补偿的效果，以此达到维持反馈回路稳定的目的，实现LDO在大负载电流下的稳定。

天眼查资料显示，无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司，成立于2010年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1022.88万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司专利信息40条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

反馈投资极点电路频率电容补偿微电子专利负载放大器输出端缓冲器

上一篇：振邦智能取得电感估计方法专利

下一篇：深圳镓楠半导体申请场板制作方法以及半导体器件专利，消除潜在的缺陷

无锡中科微电子研究院申请无内部电容LDO频率补偿电路专利，实现LDO在大负载电流下的稳定

相关内容

热门资讯