深圳镓楠半导体申请场板制作方法以及半导体器件专利，消除潜在的缺陷_电池资讯

深圳镓楠半导体申请场板制作方法以及半导体器件专利，消除潜在的缺陷

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2026-02-17 14:12:00

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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“场板制作方法以及半导体器件”的专利，公开号CN121531767A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的场板制作方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括中间介质层、形成在所述中间介质层上的停止层和形成在所述停止层上的刻蚀介质层；图形化所述刻蚀介质层和停止层，以形成场板开口，同时所述停止层在所述场板开口的底部边缘发生侧向腐蚀，致使所述刻蚀介质层和所述中间介质层之间形成侧向空洞；通过沉积侧墙材料形成覆盖所述场板开口的侧壁和底部，并填充所述侧向空洞的侧墙层；在所述侧墙层上沉积金属场板材料，从而形成金属场板。本申请的有益效果在于：消除停止层被横向腐蚀区域的空洞，消除潜在的缺陷；消除停止层侧壁空洞,强化对空洞区域的电场控制，增强器件可靠性。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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