国家知识产权局信息显示,上海海栎创科技股份有限公司申请一项名为“高保持电压的ESD保护器件及保护方法”的专利,公开号CN121548114A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明提供高保持电压的ESD保护器件及保护方法,器件包括:衬底;所述衬底的表面并列覆盖第一N型阱层、第一P型阱层、第二N型阱层及第二P型阱层;所述第一N型阱层、第一P型阱层及第二N型阱层与所述衬底之间设有深N型阱层;所述第一N型阱层上覆盖第一P型掺杂层及第二P型掺杂层,所述第二P型掺杂层延伸至所述第一P型阱层,所述第一P型掺杂层与所述第二P型掺杂层之间设有第一沟槽。通过在第一N型阱层、第一P型阱层及第二N型阱层下方设置深N型阱层,使得SCR放电路径由传统的横向路径转变为包含纵向路径的三维路径,在不增加器件横向长度的前提下有效延长了总放电路径长度,从而提高了器件的保持电压。
天眼查资料显示,上海海栎创科技股份有限公司,成立于2010年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海海栎创科技股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息13条,专利信息159条,此外企业还拥有行政许可3个。
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来源:市场资讯