思特威获得发明专利授权：“改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法”_电池资讯

思特威获得发明专利授权：“改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法”

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2026-02-28 03:40:26

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示思特威（688213）新获得一项发明专利授权，专利名为“改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法”，专利申请号为CN202210731089.3，授权日为2026年2月27日。

专利摘要：本发明提供一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器及制备方法，图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与外围逻辑场效应晶体管的栅极边缘区域具有不同结构，使得电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于电荷传输栅极的栅极中心区域的电场强度，以改善像素场效应晶体管的GIDL现象，提高CIS的图像质量。

今年以来思特威新获得专利授权25个，较去年同期增加了92.31%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了2.55亿元，同比增28.15%。

通过天眼查大数据分析，思特威（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息249条，专利信息664条，著作权信息10条；此外企业还拥有行政许可25个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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