尚阳通申请沟槽栅超结器件及其制造方法专利，最大限度降低源接触电阻
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2026-03-03 16:41:39
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国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“沟槽栅超结器件及其制造方法”的专利，公开号CN121604482A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了沟槽栅超结器件，有源区的结构包括：超结结构，第一阱区，沟槽栅和源区，在源区的顶部形成有穿过层间膜的源极接触孔，源极接触孔和相邻的沟槽栅的侧面之间的第一间距缩小到0.5微米～0.6微米。在源接触孔的底部还形成有阱接触注入区。阱接触注入区采用至少两种分子量不同的杂质复合注入形成，分子量不同杂质的注入剂量和注入能量根据第一间距设置。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能保证器件单元步进不变和沟槽栅的宽度不变的条件下最大限度降低源接触电阻并同时降低源极接触孔的电流密度，从而能同时降低比导通电阻和优化EAS能力，还同时不影响器件的阈值电压大小以及阈值电压分布。
天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息172条，此外企业还拥有行政许可20个。
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来源：市场资讯
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