国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121645867A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供包括衬底、位于衬底上基于隔离沟槽分立设置的多个栅绝缘层和位于栅绝缘层上的浮栅层的基底；基底包括逻辑区和存储区；在隔离沟槽内形成浅沟槽隔离结构，至少位于存储区的浅沟槽隔离结构的顶面低于浮栅层的顶面；在浮栅层上形成保形覆盖浅沟槽隔离结构的介电材料层；在介电材料层上形成控制栅材料层；去除部分控制栅材料层、介电材料层和部分厚度的浮栅层，以剩余在存储区的介电材料层为介电层、控制栅材料层为控制栅层；以栅绝缘层为停止层，去除逻辑区的浮栅层和存储区的部分浮栅层，以剩余在存储区的浮栅层、介电层和控制栅层为栅极叠层结构，从而提升形成的半导体器件的整体性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

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来源：市场资讯