国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“具有金属层内电容的芯片”的专利,公开号CN121645996A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种具有金属层内电容的芯片,其包括至少二个具有同样功能和同样电容值要求的金属电容区域;每一个金属电容区域,在衬底有源区上由下到上依次形成有栅氧化层、栅极金属层、高阻层及电容金属层;有源区、栅氧化层、栅极金属层的竖向投影位于高阻层的竖向投影内;所述高阻层同栅极金属层及电容金属层之间形成有绝缘介质层;高阻层的电阻率大于栅极金属层的电阻率;高阻层的电阻率大于电容金属层的电阻率。本发明的具有金属层内电容的芯片中的金属电容的可重复性好,并且改善了金属层内电容施加高电压时的寄生电容的均匀性。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次,专利信息2771条,此外企业还拥有行政许可399个。
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来源:市场资讯
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