芯盟科技申请半导体结构及其形成方法、存储阵列专利，能够有效降低了相邻位线之间的耦合作用_电池资讯

芯盟科技申请半导体结构及其形成方法、存储阵列专利，能够有效降低了相邻位线之间的耦合作用

创始人

2026-03-14 23:33:23

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国家知识产权局信息显示，芯盟科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储阵列”的专利，公开号CN121665540A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中形成方法包括：提供衬底，衬底具有垂直交叉排列的位线方向和字线方向，衬底包括沿位线方向平行排布的若干有源区以及位于有源区之间的隔离区，且衬底包括第一表面；在第一表面上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，形成具有垂直晶体管图案的光刻胶层；以具有垂直晶体管图案的光刻胶层为掩膜，沿第一表面对部分有源区和部分隔离区进行刻蚀，形成垂直晶体管。通过在第一表面上形成具有垂直晶体管图案的光刻胶层，且光刻胶层沿位线方向及字线方向上交错间隔位于有源区的第一表面上，使得在后续的刻蚀过程后，实现若干垂直晶体管之间的间隔分布，能够有效降低了相邻位线之间的耦合作用。

天眼查资料显示，芯盟科技有限公司，成立于2018年，位于嘉兴市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本22534.2876万人民币。通过天眼查大数据分析，芯盟科技有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息35条，专利信息278条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资降低位线导体耦合晶体管结构专利有源区胶层衬底

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