半导体设备作为芯片制造与封测的基石，其技术水平直接决定了集成电路产业的竞争力。2026年以来，随着AI、高性能计算等领域需求的持续释放，全球半导体设备融资市场保持高度活跃。国内方面，在自主可控战略引领下，从高端键合装备、自动化测试设备到第三代半导体材料设备，国产化进程全面提速；海外则出现以颠覆性光刻技术为代表的前沿探索。

青禾晶元完成约5亿元战略融资，中微公司领投

近日，青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司（以下简称青禾晶元）完成约5亿元战略融资。本轮由中微半导体设备（上海）股份有限公司及孚腾资本联合领投，北汽产投跟投，老股东英诺基金持续追加投资。资金将重点投入核心技术研发、高端产品矩阵迭代、世界级研发交付团队建设以及生产基地扩建，以支撑公司跨越式发展与全球化布局。

青禾晶元聚焦半导体键合集成技术，业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工，形成了“装备制造+工艺服务”双轮驱动的全产业链模式。公司自主研发的超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备等产品矩阵，广泛应用于先进封装、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等领域。

高端键合装备是先进封装与异构集成的核心支撑，直接决定了Chiplet、3D堆叠等前沿技术的产业化进程。随着摩尔定律逼近物理极限，通过先进封装提升芯片性能已成为行业共识，键合设备的重要性日益凸显。青禾晶元同时布局设备与工艺，能够为客户提供从装备到量产方案的一体化服务。本轮引入中微公司作为产业投资方，业界认为，青禾晶元有望在客户资源、供应链协同以及技术路线验证等方面形成深度联动，进一步加速国产高端键合装备在先进封装产线中的导入进程。

悦芯科技完成超12亿元Pre-IPO轮融资

近日，专注半导体大规模自动化测试设备（ATE）的悦芯科技股份有限公司（以下简称悦芯科技）完成Pre-IPO轮股权融资，总金额超12亿元，由国家产业基金、政府基金、银行及行业资本共同参与。资金将用于产品研发、产能提升及市场拓展，助力高端国产半导体测试设备实现技术自主可控。

悦芯科技成立于2017年，是国内同时覆盖存储器芯片、系统级芯片及功率半导体三大ATE细分领域的企业之一。

悦芯科技自主研发的T800系列系统级芯片测试设备、TM8000系列存储芯片测试设备及TP系列功率半导体测试设备均已实现产业化。其中，用于DRAM量产测试的TM8000系列已实现大批量交付，突破了高性能存储器芯片自动化生产测试设备的瓶颈。

ATE设备在半导体测试环节价值占比最高，且技术门槛极高，长期由泰瑞达、爱德万等国际巨头主导。近年来，随着国内AI芯片、存储器及功率半导体产能持续扩张，测试设备需求呈爆发式增长，同时也对供应链安全提出了更高要求。悦芯科技同时覆盖存储、SoC和功率三大测试方向，尤其在DRAM测试领域实现了国产设备从0到1的突破，突破了量产线中的“卡脖子”环节。

本轮融资由国家产业基金与行业资本共同加持，既体现了政策层面对高端测试设备自主可控的战略重视，也反映出资本市场对其技术成熟度与商业化落地能力的高度认可。随着Pre-IPO轮完成，悦芯科技有望加速登陆资本市场，进一步巩固其在国产ATE领域的头部地位。

苏州镓耀半导体完成近亿元A轮融资

近日，苏州镓耀半导体完成近亿元A轮融资，由苏州资管等机构投资。资金将重点投入氧化镓外延片及关键CVD设备的研发与产业化，推动第三代及第四代半导体核心材料的国产进程。

镓耀半导体成立于2022年，专注于氧化镓外延片及相关CVD设备的研发、生产与销售。公司以金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术为核心，同时布局原子层沉积（ALD）、MistCVD等多种薄膜沉积技术，产品涵盖氧化镓MOCVD、氮化镓MOCVD、ALD设备及二维材料CVD等，为科研院校与企业客户提供薄膜生长整体解决方案。

氧化镓作为超宽禁带半导体材料，在耐高压、耐高温、低损耗等方面表现优异，被视为下一代功率半导体的重要演进方向，尤其适用于新能源汽车、电网及射频器件等场景。

与碳化硅、氮化镓相比，氧化镓在材料成本和衬底尺寸扩展上具备潜在优势，但外延生长与设备工艺仍是产业化落地的核心瓶颈。镓耀半导体从关键CVD设备入手，同步推进外延片研发，形成了材料+装备的双轮驱动模式。本轮融资将加速其氧化镓MOCVD设备与外延工艺的成熟度提升，有望在国内第四代半导体材料产业化进程中占据先发优势。随着宽禁带半导体在新能源领域渗透率持续提升，氧化镓产业链有望迎来加速成长期。

光刻机创企Lace获4000万美元A轮融资

总部位于挪威的芯片制造设备初创公司Lace宣布完成4000万美元A轮融资，由Atomico领投，微软旗下M12、Linse Capital、西班牙技术转型协会及Nysnø跟投。该公司已开发出原型系统，计划于2029年在试点晶圆厂部署测试工具。

Lace摒弃传统光刻技术，采用氦原子束进行光刻，其束流宽度约为0.1nm，而传统光刻技术中ASML极紫外光刻机的光源波长约为13.5nm。公司首席执行官Bodil Holst表示，该技术有望将芯片特征尺寸缩小一个数量级，实现“原子级分辨率”的晶圆印刷，为未来AI处理器性能提升提供全新路径。

光刻设备是半导体制造中技术难度最高、市场集中度最强的环节，ASML在高端市场长期处于垄断地位。随着传统深紫外、极紫外光刻逼近物理极限，全球范围内对下一代光刻技术的探索持续升温。Lace选择氦原子束这一全新技术路线，绕开了光源波长与光学系统的传统瓶颈，理论上可实现亚纳米级分辨率，为后摩尔时代的芯片微缩提供了潜在突破口。

当然，从原型机到晶圆厂量产验证仍面临诸多工程化挑战，包括产能、对准精度、工艺兼容性等。本轮融资获得微软等产业资本的青睐，也反映出科技巨头对底层制造技术创新的战略关注。未来十年，光刻领域或将呈现多种技术路线并行探索的格局，Lace等初创公司的力量不容小觑。

结 语

半导体设备领域正迎来技术与资本的双重驱动。一方面，国内企业在键合、测试、材料生长设备等关键环节加速突破，推动产业链向高端化、自主化迈进；另一方面，国际前沿技术探索亦不断突破传统工艺边界，为未来芯片制造开辟新的可能。无论是立足当下的国产替代，还是着眼未来的颠覆创新，半导体设备都将继续成为半导体产业发展的关键支点。