韦尔半导体申请一种功率MOSFET版图及MOSFET专利，提升屏蔽栅极功率MOSFET击穿电压
创始人
2025-07-07 18:18:53
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种功率MOSFET版图及MOSFET”的专利，公开号CN120264855A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请实施例提供的一种功率MOSFET版图及MOSFET，在所述第一沟槽区和第二沟槽区之间未设置接触孔区。这样可以提升屏蔽栅极功率MOSFET击穿电压，且本申请实施例提供的MOSFET终端区的沟槽底部的场强/碰撞电离率降低。

天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可13个。

来源：金融界

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