华进半导体申请一种半导体封装结构及其制备方法专利，提高硅占比和支撑性_电池资讯

华进半导体申请一种半导体封装结构及其制备方法专利，提高硅占比和支撑性

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2026-04-04 07:48:32

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国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种半导体封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121772778A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构及其制备方法，包括：封装基板；第一芯片，正装设置于封装基板上方；第一芯片包括位于中间位置的本体部和侧部的边缘部；本体部凸起于边缘部；边缘部的上表面设置有引脚；第一芯片内部设置有重布线层，引脚连接至重布线层；第一芯片为硅基芯片；倒装设置的至少一个第二芯片，位于第一芯片的侧部并位于边缘部的上方；第二芯片在封装基板上的投影与边缘部存在部分重叠；第二芯片下方设置有多个第一凸点和多个第二凸点；第一凸点键合连接至封装基板上方基板焊盘；第二凸点键合连接至引脚。本发明可以在提升封装集成度与可靠性的同时，实现多芯片间的高效互连，提高硅占比和支撑性，减小基板翘曲。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本72064.22万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1133条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资华进芯片导体技术研发中心结构边缘专利边缘部凸点基板

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