苏州明彰半导体申请低压MOS管掉电耐高压故障安全IO电路专利，实现了完整的故障安全保护
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2026-04-11 23:00:59
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国家知识产权局信息显示，苏州明彰半导体技术有限公司申请一项名为“一种低压MOS管掉电耐高压故障安全IO电路”的专利，公开号CN121841340A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及模拟集成电路技术领域，具体涉及一种低压MOS管掉电耐高压故障安全IO电路。电路主要包括动态IO电源电压产生电路、保护电压偏置产生电路和PAD输出驱动电路，全部采用标准低压MOS晶体管实现。动态IO电源电压产生电路在芯片上电时输出正常电源电压，在掉电时利用ESD总线电压维持工作；保护电压偏置产生电路基于动态电源电压生成高压保护偏置电压；PAD输出驱动电路利用该偏置电压驱动输出并保护内部晶体管。本发明无需高压器件或额外工艺步骤，降低了成本，同时确保了芯片在上电和掉电状态下均能安全承受高压信号并防止电流倒灌，实现了完整的故障安全保护，适用于先进半导体工艺中的高可靠性接口应用。
天眼查资料显示，苏州明彰半导体技术有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1613万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州明彰半导体技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可8个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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