华虹半导体申请MOS结构ESD器件专利，可降低NMOS的触发电压
创始人
2026-05-14 04:32:48
0次
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“MOS结构的ESD器件”的专利，公开号CN122028507A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MOS结构的ESD器件，位于P阱中，包含位于中心的漏区，以及位于漏区两侧对称排布的源区；所述源区与漏区之间的半导体衬底或外延层表面具有栅极结构；在俯视平面上，在重掺杂的漏区的两端各有一个独立的重掺杂P型注入区；所述的重掺杂P型注入区与重掺杂的漏区之间具有可调节的间距D。重掺杂P型注入区与重掺杂的漏区之间形成一个寄生二极管，调整所述的间距D可以改变寄生二极管的击穿电压；当寄生二极管的击穿电压小于重掺杂的漏区与P阱之间的击穿电压时，ESD情况下寄生二极管将率先被击穿，起到降低NMOS的触发电压作用。该结构无需增加任何光刻版、注入工艺和器件面积，不会增加成本。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1996条，此外企业还拥有行政许可117个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
上一篇：每周股票复盘：壹石通（688733）SOC示范工程将投运
下一篇：没有了
相关内容
热门资讯
华虹半导体申请MOS结构ESD...
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“MOS结构的ESD器件”的专利，公开...
每周股票复盘：壹石通（6887...
截至2026年4月24日收盘，壹石通（688733）报收于28.88元，较上周的29.6元下跌2.4...
固高科技：控制伺服部件覆盖半导...
证券之星消息，固高科技(301510)05月13日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...
半导体设备占比较高的半导体设备...
截至2026年5月13日 13:21，中证半导体材料设备主题指数(931743)强势上涨3.51%，...
刚刚，集体大涨！芯片，再传利好...
芯片继续狂飙。 今日美股盘前，科技股多数走高。英特尔涨超4%，闪迪涨超5%，英伟达涨近2%。摩根大通...
明日题材前瞻：算力租赁行业景气...
①全球首个GPU算力期货拟推出，算力租赁行业景气度持续向好 芝加哥商品交易所集团（CME Group...
说明靠谱的低功耗电子示波器生产...
在电子测试测量领域，电子示波器是一款至关重要的工具，它能够帮助工程师和科研人员直观地观测和分析电信号...
股票行情快报：南大光电（300...
证券之星消息，截至2026年5月13日收盘，南大光电(300346)报收于57.65元，上涨3.8%...
中航光电：公司正紧跟下游客户的...
证券之星消息，中航光电(002179)05月13日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...