晶湛半导体申请半导体结构及其制备方法专利，防止缓冲层发生垂直击穿
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2026-05-20 10:51:01
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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122069747A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：层叠设置的衬底层、缓冲层和功能层；功能层上设置有源极和漏极，以及位于源极和漏极之间的多个栅极，多个栅极之间设置为目标区域；衬底层上对应目标区域设置有隔离结构，目标区域在衬底层的投影和隔离结构在衬底层的投影至少存在部分交叠。通过设置隔离结构，对高压下的纵向漏电通道进行阻断，防止缓冲层发生垂直击穿，且能够不干扰功能层的横向导电与多栅极调控，从而解决了相关技术中的氮化镓双向功率器件在高电压下衬底和缓冲层之间易被垂直击穿的问题。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息326条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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